参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL24N60M2n: 0
说明	通用MOSFET   4-PowerFlat™HV Power
起订量	3
最小包	3
现货	401 [库存更新时间：2024-06-05]
系列	MDmesh™ II Plus
连续漏极电流Id	18A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1060pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	210m Ohms@9A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	4-PowerFlat™ HV
封装/外壳	Power
FET类型	N-Channel
125 W	Pd - 功率消耗
下降时间	15 ns
上升时间	9 ns
标准包装数量	3000
标准断开延迟时间	60 ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
栅极电压Vgs	25V
连续漏极电流Id	18A
Rds On(Max)@Id,Vgs	186m Ohms
配置	Single
栅极电压Vgs	3V
29 nC	Qg - 闸极充电